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U1H1L5N2D

•產(chǎn)品描述: 

U1H1L5N2D 是一款工作電壓達(dá)到500V的高性能半橋 IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模塊。是一種高度集成的半導(dǎo)體器件,內(nèi)部集成半橋驅(qū)動(dòng)芯片和高速功率 MOSFET,具備體積小,性能高,散熱好等優(yōu)點(diǎn)。U1H1L5N2D的高度集成性和豐富的功能使其成為各種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中的理想選擇,能夠提高系統(tǒng)性能和可靠性。

•主要特點(diǎn):

內(nèi)置自舉二極管(IF 0.8A max) l 懸浮絕對(duì)電壓: 500V l 內(nèi)置 500V/5A MOSFET l 負(fù)瞬態(tài)電壓高 l 柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍 10V~20V l 輸入邏輯兼容3.3V、5V l 集成VCC和VBS欠壓保護(hù) l 防交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯 l 兩雙通道的匹配傳播延遲

•典型應(yīng)用:

● 高速風(fēng)筒風(fēng)扇 ● 電動(dòng)工具

•簡易原理圖 

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