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大多數(shù)電子技術(shù)在電源模塊中發(fā)展的趨勢(shì)是低電壓和大電流，而同步整流技術(shù)相比較其他技術(shù)而言，是高效低損耗方法，通過(guò)控制功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)整流功能。

同步整流技術(shù)的應(yīng)用

同步整流技術(shù)出現(xiàn)較早，但早期的技術(shù)很難轉(zhuǎn)換為產(chǎn)品，這是由于當(dāng)時(shí)

1）驅(qū)動(dòng)技術(shù)不成熟，可靠性不高，現(xiàn)在技術(shù)已逐步成熟，出現(xiàn)了專(zhuān)用同步整流驅(qū)動(dòng)芯片，如U321等；

2）專(zhuān)用配套的低導(dǎo)通電阻功率MOSFET還未投放市場(chǎng)；

3）還未采用MOSFET并聯(lián)肖特基二極管以降低寄生二極管的導(dǎo)通損耗；

4）在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中沒(méi)有解決分布電感對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的影響。

經(jīng)過(guò)這幾年的發(fā)展，同步整流技術(shù)已經(jīng)成熟，由于開(kāi)發(fā)成本的原因，目前只在技術(shù)含量較高的通信電源模塊中得到應(yīng)用。

現(xiàn)在的電源模塊仍主要應(yīng)用在通信系統(tǒng)中，隨著通信技術(shù)的發(fā)展，通信芯片所需的電壓逐步降低，5V和3.3V早已成為主流，正向2.5V、1.5V甚至更低的方向發(fā)展。通信設(shè)備的集成度不斷提高，分布式電源系統(tǒng)中單機(jī)功率不斷增加，輸出電流從早期的10-20A到現(xiàn)在的30-60A，并有不斷增大的趨勢(shì)，同時(shí)要求體積要不斷減小。這就為同步整流技術(shù)提供了廣泛的應(yīng)用需求。

同步整流技術(shù)與傳統(tǒng)技術(shù)的對(duì)比

在傳統(tǒng)的次級(jí)整流電路中，肖特基二極管是低電壓、大電流應(yīng)用的首選。其導(dǎo)通壓降大于0.4V，但當(dāng)通信電源模塊的輸出電壓隨著通信技術(shù)發(fā)展而逐步降低時(shí)，采用肖特基二極管的電源模塊效率損失驚人，在輸出電壓為5V時(shí)，效率可達(dá)85%左右，在輸出電壓為3.3V時(shí)，效率降為80%，1.5V輸出時(shí)只有65%，應(yīng)用已不現(xiàn)實(shí)。

在低輸出電壓應(yīng)用中，同步整流技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。功率MOSFET導(dǎo)通電流能力強(qiáng)，可以達(dá)到60A以上。采用同步整流技術(shù)后，次級(jí)整流的電壓降等于MOSFET的導(dǎo)通壓降，由MOSFET的導(dǎo)通電阻決定，而且控制技術(shù)的進(jìn)步也降低了MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。在過(guò)去三年中，用于同步整流的MOSFET工藝取得了突破性的進(jìn)展，導(dǎo)通電阻下降到了原來(lái)的1/5?，F(xiàn)在，采用經(jīng)過(guò)特殊工藝處理的MOSFET，能達(dá)到非常低的導(dǎo)通電阻，如IR公司的產(chǎn)品IRHSNA57064，當(dāng)通導(dǎo)電流為45A時(shí)，其導(dǎo)通電阻僅為5.6毫歐，并且已經(jīng)批量生產(chǎn)。

同步整流技術(shù)提高了次級(jí)整流效率，使生產(chǎn)低電壓、大電流、小體積的通信電源模塊成為現(xiàn)實(shí)。

同步整流技術(shù)可以很好的適應(yīng)芯片，有很廣泛的運(yùn)用。這是一塊還未被開(kāi)發(fā)的市場(chǎng)，大多數(shù)公司還沒(méi)有被掌握，而且相應(yīng)的成本也比較高。但隨著同步整流的MOSFET產(chǎn)品批量生產(chǎn)，專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片的出現(xiàn)，以及技術(shù)的成熟，同步整流將成為主流的電源技術(shù)。